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英飞凌IGBT模块FF300R12KS4原装现货供应

2020-08-06浏览量:218

英飞凌IGBT模块FZ400R12KS4 FF300R12KS4原装现货供应

IGBT模块的特点:

IGBT绝缘栅双极型晶体管模块是场效应晶体管(MOSFET)和电力晶体管(GTR)相结合的产物。它具有输入阻抗高、驱动功率小、开关损耗低、温度特性好以及开关频率高等特点。IGBT比GTR(或BJT)更为新颖。

IGBT模块的击穿电压已达到1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A,最高工作频率可达30~40kHz,以IGBT模块为逆变器件的变频器的载波频率一般都在10kHz以上,故电动机的电流波形比较平滑,电磁噪声很小。IGBT模块的缺点是断态时的击穿电压较低(最大约3.3kV),功耗较大,电路较复杂.

IGBT模块的基本特性

① 输出特性IC-UCE。表示集电极电流IC与集电极-发射极之间电压UCE的关系,参变量为栅极和发射极之间驱动电压UGE,它是由饱和区、放大区、截止区组成。

② 转移特性IC-UGE。表示集电极电流IC与栅极-发射极之间驱动电压UGE的关系。

③ 动态特性。动态特性也就是开关特性,表示IGBT器件开关过程及开关时间参数,包括导通过程、导通、关断过程、截止四种状态。其中UGE为栅射极驱动电压,UCE为集射极电压,IC为集电极电流,ton为导通时间,toff为关断时间。

英飞凌IGBT模块KS4系列:

FF100R12KS4  FF150R12KS4  FF200R12KS4  FF300R12KS4

FZ400R12KS4  FZ600R12KS4  FF300R12KE3  FF400R12KE3

FF400R12KT3  FF200R12KT4  FF300R12KT3  FF300R12KT4

BSM300GB120DLC   FF300R12KE4  FF450R12KT3     FF450R12KT4

FF200R12KT3     FZ400R12KS4   FZ600R12KS4     FZ900R12KE4

FZ1200R12KF4   FZ1200R12KF5

全线供应
1600134389329365.jpg

FF50R12RT4    FF75R12RT4   FF100R12RT4  FF150R12RT4 

FF200R12KT4   FF300R12KT4  FF450R12KT4  FF650R17IE4

FF1000R17IE4  FF1000R17IP4  FF1400R17IE4  FF1200R17KP4_B2

FF800R17KP4_B2  FF1000R17IE4D_B2  FF650R17IE4D_B2  FF450R17IE4

FF600R17ME4   FF450R17ME4  FF1200R12IE5 FF150R12KE3G

FF150R12KS4  FF150R12KT3G  FF200R12KE3  FF200R12KT3

FF200R12KT4  FF200R17KE3   FF300R07ME4_B11  FF300R12KS4

FF300R12KT3  FF300R12KT4   FF300R17KE3  FF450R06ME3

FF450R07ME4_B11  FF450R12KT4  FF450R12ME4  FF450R17ME4

FF600R12KE4  FF600R12ME4  FF600R12ME4_B72  FF600R12ME4A_B11  FF600R17ME4

英飞凌可控硅模块

DD151N12K  DD151N14K  DD151N16K   DD151N18K  DD151N20K  DD151N22K 

DD171N12K  DD171N14K  DD171N16K   DD171N18K  DD175N28K  DD175N30K

DD175N32K  DD175N34K DD231N20K   DD231N22K  DD231N24K  DD231N26K 

DD260N12K  DD260N14K DD260N16K   DD260N18K  DD261N22K  DD261N24K

DD261N26K  DD285N04K  DD285N06K   DD285N08K  DD350N12K  DD350N14K

DD350N16K  DD350N18K  DD435N28K   DD435N30K  DD435N32K  DD435N34K

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