产品中心

产品中心

Infineon 英飞凌IGBT模块_3300V

2020-08-14浏览量:108


产品型号参数说明封装形式
 DD200S33K2C 200.0 A, -,Technology:DiodeIHV 73 mm
 FF200R33KF2C 200.0 A, 3.4 V,Technology:IGBT2IHV 73 mm
 DD400S33K2C 400.0 A, -,Technology:DiodeIHV 130 mm
 DD400S33KL2C 400.0 A, -,Technology:DiodeIHV 73 mm
 FD400R33KF2C 400.0 A, 3.4 V,Technology:IGBT2IHV 130 mm
 FD400R33KF2C-K 400.0 A, 3.4 V,Technology:IGBT2IHV 130 mm
 FF400R33KF2C 400.0 A, 3.4 V,Technology:IGBT2IHV 130 mm
 FZ400R33KL2C_B5 400.0 A, 3.0 V,Technology:IGBT2 Low LossIHV 73 mm
 DD500S33HE3 500.0 A, -,Technology:DiodeIHV B 130 mm
 DD800S33K2C 800.0 A, -,Technology:DiodeIHV 130 mm
 FD800R33KF2C 800.0 A, 3.4 V,Technology:IGBT2IHV 190 mm
 FD800R33KF2C-K 800.0 A, 3.4 V,Technology:IGBT2IHV 190 mm
 FD800R33KL2C-K_B5 800.0 A, 3.0 V,Technology:IGBT2 Low LossIHV 190 mm
 FZ800R33KF2C 800.0 A, 3.4 V,Technology:IGBT2IHV 130 mm
 FZ800R33KL2C 800.0 A, 3.0 V,Technology:IGBT2 Low LossIHV 130 mm
 FZ800R33KL2C_B5 800.0 A, 3.0 V,Technology:IGBT2 Low LossIHV 130 mm
 DD1000S33HE3 1000.0 A, -,Technology:DiodeIHV B 130 mm
 FD1000R33HE3-K 1000.0 A, 2.55 V,Technology:IGBT3 - E3IHV B 190 mm
 FD1000R33HL3-K 1000.0 A, 2.4 V,Technology:IGBT3 - L3IHV B 190 mm
 FZ1000R33HE3 1000.0 A, 2.55 V,Technology:IGBT3 - E3IHV B 130 mm
 FZ1000R33HL3 1000.0 A, 2.4 V,Technology:IGBT3 - L3IHV B 130 mm
 DD1200S33K2C 1200.0 A, -,Technology:DiodeIHV 130 mm
 DD1200S33KL2C_B5 1200.0 A, -,Technology:DiodeIHV 130 mm
 FZ1200R33HE3 1200.0 A, 2.7 V,Technology:IGBT3 - E3IHV B 190 mm
 FZ1200R33KF2C 1200.0 A, 3.4 V,Technology:IGBT2IHV 190 mm
 FZ1200R33KL2C 1200.0 A, 3.0 V,Technology:IGBT2 Low LossIHV 190 mm
 FZ1200R33KL2C_B5 1200.0 A, 3.0 V,Technology:IGBT2 Low LossIHV 190 mm
 FZ1500R33HE3 1500.0 A, 2.55 V,Technology:IGBT3 - E3IHV B 190 mm
 FZ1500R33HL3 1500.0 A, 2.4 V,Technology:IGBT3 - L3IHV B 190 mm

上一篇:Infineon 英飞凌IGBT模块_4500V/6500V

下一篇:Infineon 英飞凌IGBT模块_1200V

13911395493